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晶体管
IRGP4660D-EPBF参考图片

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IRGP4660D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC
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库存:4,504(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥72.998
72.998
10
¥66.0033
660.033
25
¥62.9297
1573.2425
100
¥54.6355
5463.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
330 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001548232
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4660D-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:4485
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
5,000:¥2.2035
参考库存:26762
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
20,000:查看
参考库存:120659
晶体管
MOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.5996
参考库存:4306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.616
10:¥2.7007
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
2,000:¥0.95259
参考库存:13388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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