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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	达林顿晶体管
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO	120 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
集电极—基极电压 VCBO	140 V
最大直流电集电极电流	1 A
最大集电极截止电流	0.1 uA
Pd-功率耗散	1 W
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	ZTX705
封装	Bulk
直流电流增益 hFE 最大值	3000
高度	4.01 mm
长度	4.77 mm
宽度	2.41 mm
商标	Diodes Incorporated
集电极连续电流	- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	3000 at 10 mA at 5 V, 3000 at 100 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V
产品类型	Darlington Transistors
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	453.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRF520SPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel 100V	1:¥10.5994 10:¥8.6784 100:¥6.667 500:¥5.7291 1,000:¥4.52	参考库存:6890
HUF75639S3	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TO-262	1:¥19.7524 10:¥16.7466 100:¥13.3679 500:¥11.6842	参考库存:9917
BSZ058N03LS G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3	1:¥6.4523 10:¥5.3675 100:¥3.4578 1,000:¥2.7685 5,000:¥2.3391	参考库存:92174
IRFS4620TRLPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg	1:¥14.9838 10:¥12.6786 100:¥10.1474 500:¥8.9157 800:¥7.3789	参考库存:58546
IKW50N65WR5XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno	1:¥37.7307 10:¥32.0468 100:¥27.7415 250:¥26.3516 500:¥23.6622	参考库存:3658