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晶体管
STL58N3LLH5参考图片

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STL58N3LLH5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive N-channel 30 V, 0.0076 Ohm, 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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库存:16,447(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.2094
72.094
100
¥5.537
553.7
500
¥4.8929
2446.45
3,000
¥3.4239
10271.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
22 V, - 20 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6.6 mm
产品
Power MOSFET
系列
STL58N3LLH5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
STripFET H5
宽度
5.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.2 ns
典型接通延迟时间
10.8 ns
单位重量
95 mg
商品其它信息
优势价格,STL58N3LLH5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.15KA
1:¥6,125.9899
5:¥6,028.0189
参考库存:2709
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
1:¥18.2156
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
3,000:¥8.3733
参考库存:17701
晶体管
MOSFET 1000V N-Channel
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.9048
500:¥15.142
参考库存:8828
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2884
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:21180
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:6642
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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