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晶体管
SQJ942EP-T1_GE3参考图片

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SQJ942EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified
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库存：31,485(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8816
488.16
500
¥4.2036
2101.8
1,000
¥3.3109
3310.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
15 A, 45 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms, 9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19.7 nC, 33.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
17 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
46 S, 73 S
下降时间
12 ns, 16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns, 31 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns, 52 ns
典型接通延迟时间
33 ns, 40 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ942EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDN5632N-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
1:¥4.5313
10:¥3.7855
100:¥2.3052
1,000:¥1.7854
3,000:¥1.5255
参考库存:33985
STD80N4F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
2,500:¥5.9212
5,000:查看
参考库存:7862
ECH8695R-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:77684
FDP100N10
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥19.0518
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.3678
1,000:¥9.379
参考库存:9001
FDD5N60NZTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Channel 600V 4A
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3788
500:¥4.7573
1,000:¥3.7516
2,500:¥3.7516
参考库存:21698

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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