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晶体管
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FDP100N10

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库存:9,001(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.0518
19.0518
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.9046
1290.46
500
¥11.3678
5683.9
1,000
¥9.379
9379
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP100N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
265 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
125 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP100N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 40V 100mA
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:31289
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -40V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:25871
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL PWR-MOS
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
参考库存:25876
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥4.6104
10:¥4.1471
25:¥3.4578
100:¥3.1527
250:¥2.9945
2,000:¥2.9945
参考库存:25881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:21216
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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