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晶体管
PSMN2R1-40PLQ参考图片

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PSMN2R1-40PLQ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel MOSFET
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库存:31,728(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.45 V
Qg-栅极电荷
168.9 nC
Pd-功率耗散
293 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
92 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
96 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
151 ns
典型接通延迟时间
56 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,PSMN2R1-40PLQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:32746
晶体管
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥4.4522
10:¥3.8194
100:¥2.6555
1,000:¥1.9662
8,000:¥1.6046
24,000:查看
参考库存:485987
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥4.3844
9,000:¥4.2262
参考库存:32753
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:32758
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH POWER
375:¥29.5834
750:¥26.5098
1,125:¥22.3627
2,625:¥21.2892
参考库存:32763
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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