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晶体管
IAUT300N08S5N014ATMA1参考图片

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IAUT300N08S5N014ATMA1

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库存:11,886(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.0985
49.0985
10
¥41.7196
417.196
100
¥36.1939
3619.39
250
¥34.2729
8568.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
187 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP001688336
商品其它信息
优势价格,IAUT300N08S5N014ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.03734
参考库存:31903
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:116445
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥6.0681
10:¥5.198
100:¥3.6047
1,000:¥2.6781
参考库存:39667
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
2,500:¥1.8645
参考库存:29124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
2,000:¥0.35369
参考库存:139146
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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