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晶体管
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FS225R12KE3

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¥2,771.1555
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5
¥2,604.1076
13020.538
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
325 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.15 kW
封装 / 箱体
EconoPACK+
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
162 mm
宽度
150 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
4
子类别
IGBTs
零件号别名
FS225R12KE3BOSA1 SP000100404
单位重量
1 kg
商品其它信息
优势价格，FS225R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:29532

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