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晶体管

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BSM75GB120DN2

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数量单价合计
1
¥694.3285
694.3285
5
¥681.5708
3407.854
10
¥650.9139
6509.139
25
¥629.1614
15729.035
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Half Bridge1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GB120DN2HOSA1 SP000095923
商品其它信息
优势价格,BSM75GB120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥28.8941
10:¥24.5888
100:¥21.2892
250:¥20.2044
1,800:¥14.5205
3,600:查看
参考库存:5601
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥394.8785
5:¥381.5897
10:¥369.2162
25:¥341.3956
参考库存:5173
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
5,000:¥11.9102
参考库存:29675
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
2,500:¥5.5709
参考库存:29680
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:55115
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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