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晶体管
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FJP5027RTU

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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2828
62.828
100
¥4.8364
483.64
500
¥4.2714
2135.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
800 V
集电极—基极电压 VCBO
1.1 kV
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
15 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJP5027
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
FJP5027RTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FJP5027RTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT10H010LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
2,500:¥5.0737
参考库存:7896
SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:278438
DDC115EU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100kOhm NPN Dual Trans 200mW
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:32265
MG12600WB-BR2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200 V 600 A IGBT
1:¥1,526.3475
参考库存:2862
SSM3K72CFS,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.23052
参考库存:96404

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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