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晶体管
DMN67D8L-7参考图片

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DMN67D8L-7

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库存:52,890(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.3786
1.3786
10
¥1.2882
12.882
100
¥0.45313
45.313
1,000
¥0.30736
307.36
3,000
¥0.23052
691.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
821 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
340 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN67
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.6 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN67D8L-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
500:¥12.8368
参考库存:4582
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
500:¥19.1309
参考库存:14144
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥5.0059
参考库存:11041
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7MOHM
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8591
2,500:¥5.2997
5,000:查看
参考库存:14948
晶体管
MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥7.458
10:¥5.989
100:¥4.5539
500:¥3.7629
1,000:¥3.0171
3,000:¥2.7233
参考库存:24975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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