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晶体管
IKB30N65EH5ATMA1参考图片

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IKB30N65EH5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 30 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
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库存：9,665(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.5043
29.5043
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.7412
2174.12
250
¥20.6677
5166.925
1,000
¥15.594
15594
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
Pd-功率耗散
188 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
650V TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
55 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB30N65EH5 SP001502648
商品其它信息
优势价格，IKB30N65EH5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5873
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥354.5375
2:¥344.8534
5:¥335.3275
10:¥325.8016
参考库存:23850
SMP3972
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 1.7mW
569:¥11.9102
1,000:¥9.831
2,500:¥8.8366
10,000:¥8.4524
参考库存:23855
BSP51H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,000:¥1.2091
参考库存:23860
TSM3911DCX6 RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual 20V P channel Mosfet
1:¥4.7686
10:¥4.068
100:¥3.0397
500:¥2.2261
3,000:¥1.5255
6,000:查看
参考库存:23865
DTC114WKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:23870

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