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晶体管

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STGB40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
1,000
¥16.6788
16678.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB40V60F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGB40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥64.7716
10:¥58.3193
25:¥53.0987
50:¥49.2567
参考库存:24967
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A DUAL
1:¥1,590.5089
5:¥1,552.2471
10:¥1,513.6689
25:¥1,492.4588
参考库存:24972
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
暂无价格
参考库存:24977
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥1.00683
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.27685
参考库存:24982
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:24987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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