您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
F3L150R07W2E3_B11参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

F3L150R07W2E3_B11

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,428(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥527.5857
527.5857
5
¥517.8225
2589.1125
10
¥504.4546
5044.546
25
¥494.5445
12363.6125
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
335 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
F3L150R07W2E3B11BOMA1 SP000638568
单位重量
39 g
商品其它信息
优势价格,F3L150R07W2E3_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
10:¥1,810.2713
30:¥1,784.9141
参考库存:37631
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.5921
250:¥82.603
500:¥77.2242
1,000:¥70.851
参考库存:37636
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:37641
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
暂无价格
参考库存:37646
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥126.4018
250:¥115.26
500:¥107.802
参考库存:37651
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们