CSD87381PT详细信息_CSD87381PT相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：9,700(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PTAB-5
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	15 A
Rds On-漏源导通电阻	15.7 mOhms, 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.9 V, 1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	3.9 nC, 8.9 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	4 W
配置	Dual
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.48 mm
长度	3 mm
系列	CSD87381P
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Synchronous Buck NexFET Power Stage
宽度	2.5 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	40 S, 89 S
下降时间	3 ns, 2.9 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19.3 ns, 16.3 ns
工厂包装数量	250
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	10.6 ns, 16.8 ns
典型接通延迟时间	6.7 ns, 7.9 ns

商品其它信息

优势价格，CSD87381PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFR210TRLPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp	1:¥6.8365 10:¥5.5822 3,000:¥5.5822	参考库存:14018
MJE5742G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 8A 400V Bipolar Power NPN	1:¥11.4469 10:¥9.7632 100:¥7.7631 500:¥6.78 1,000:¥5.6274	参考库存:9015
DZT658-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W	1:¥4.068 10:¥3.3335 100:¥2.034 1,000:¥1.5707 2,500:¥1.3334	参考库存:38382
DST3946DPJ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO	1:¥3.4578 10:¥2.2261 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 10,000:¥0.49155 20,000:查看	参考库存:89139
BD139-16	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr	1:¥3.3787 10:¥2.8137 100:¥1.7176 1,000:¥1.3334	参考库存:48746