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晶体管
TK5Q60W,S1VQ参考图片

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TK5Q60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
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库存:4,801(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.0628
13.0628
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.345
3672.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK5Q60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK5Q60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:440820
晶体管
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
3,000:¥10.5994
6,000:查看
参考库存:22787
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:28584
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:147296
晶体管
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3845
500:¥5.65
1,000:¥4.4522
2,500:¥4.4522
参考库存:41458
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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