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晶体管
STP25N60M2-EP参考图片

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STP25N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:5,421(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.1258
30.1258
10
¥25.5832
255.832
100
¥22.2045
2220.45
250
¥21.0519
5262.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
188 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP25N60M2-EP
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP25N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 22KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:23742
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -60V 400mW 750mW -0.4Vgs
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:30648
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
3,000:¥0.30736
9,000:¥0.26894
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.23052
99,000:¥0.20792
参考库存:30653
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥39.3466
10:¥33.4254
100:¥28.9732
250:¥27.5042
参考库存:30658
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2769
参考库存:30663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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