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晶体管
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FS150R12KE3

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数量单价合计
1
¥1,470.7176
1470.7176
5
¥1,435.3712
7176.856
10
¥1,399.7197
13997.197
25
¥1,380.0464
34501.16
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
205 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
EconoPACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R12KE3BOSA1 SP000100417
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格，FS150R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba
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10,000:查看
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500:¥4.0002
1,000:¥3.1979
3,000:¥2.8137
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ZX5T949GTA
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1:¥6.7574
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1,000:¥3.1075
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IRF6216TRPBF
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1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
4,000:¥4.7573
参考库存:32330

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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