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晶体管
GS61008T-E01-MR参考图片

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GS61008T-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 100V 90A E-Mode GaN
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库存:18,792(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.3984
58.3984
10
¥56.8616
568.616
25
¥55.3248
1383.12
250
¥52.6354
13158.85
1,000
¥51.1777
51177.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET
系列
GS6100x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS61008T-E01-MR
商品其它信息
优势价格,GS61008T-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Ch -25V JFET 10mA 300mW 10mA 1.7mW
1:¥75.3823
10:¥61.7771
100:¥51.3246
500:¥46.7933
参考库存:29202
晶体管
JFET JFET P-Channel
1:¥32.1146
10:¥25.8205
100:¥21.2101
500:¥19.0518
参考库存:29207
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:14642
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 14 mo FET
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.6272
参考库存:19644
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
800:¥6.2037
4,800:¥6.2037
9,600:¥5.9664
参考库存:29216
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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