QPD1013SR详细信息_QPD1013SR相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：2,855(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21.8 dB
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	1.7 A
输出功率	178 W
最大漏极/栅极电压	65 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	67 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
应用	Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置	Single Triple Drain
工作频率	1.2 GHz to 2.7 GHz
商标	Qorvo
开发套件	QPD1013EVB01
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，QPD1013SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PMN55ENEX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PMN55ENE/SOT457/SC-74	1:¥3.616 10:¥2.7233 100:¥1.4803 1,000:¥1.10627	参考库存:37938
DMP3018SSS-13	Diodes Inc. / Pericom	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K	1:¥4.6104 10:¥3.8307 100:¥2.4747 1,000:¥1.9775 2,500:¥1.9775	参考库存:19993
PDTD123EUX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped	1:¥2.6103 10:¥1.7967 100:¥0.75258 1,000:¥0.51528 3,000:¥0.40002	参考库存:37945
BSZ100N06NSATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV POWER MOS	1:¥6.6105 10:¥5.5144 100:¥3.5595 1,000:¥2.8476 5,000:¥2.4069	参考库存:32500
IRFIB41N15DPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC	1:¥19.7524 10:¥16.7466 100:¥13.447 500:¥11.752 1,000:¥9.6841	参考库存:37952