您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
SQS966ENW-T1_GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SQS966ENW-T1_GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:16,169(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.7743
57.743
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.8081
1904.05
1,000
¥3.0171
3017.1
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值
2.8 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7.9 ns
商品其它信息
优势价格,SQS966ENW-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC
1:¥9.2999
10:¥7.9891
100:¥6.0907
500:¥5.3901
800:¥4.2601
参考库存:6992
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:17374
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 2A
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
2,000:¥1.05994
参考库存:7751
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 5 Amp
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
2,500:¥3.3335
10,000:查看
参考库存:14173
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-363
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:328305
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们