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晶体管
STGD3NB60SDT4参考图片

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STGD3NB60SDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp
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库存:10,054(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥7.0851
3542.55
2,500
¥4.8025
12006.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
6 A
Pd-功率耗散
48 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD3NB60SD
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
6 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
3 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STGD3NB60SDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.7458
参考库存:33906
晶体管
MOSFET 20V Enh Mode FET
10,000:¥1.00683
参考库存:33911
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
1:¥8.1473
10:¥6.893
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,500:¥3.277
9,000:查看
参考库存:33916
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
2,000:¥4.7573
参考库存:33921
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:63476
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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