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晶体管
IGP20N60H3参考图片

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IGP20N60H3

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数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP20N60H3XKSA1 IGP2N6H3XK SP000702544
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IGP20N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
1:¥4.5313
10:¥3.7742
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
2,500:¥1.7402
参考库存:20658
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.4468
10:¥7.7631
100:¥6.667
500:¥5.2997
1,000:¥4.2149
参考库存:22050
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/ PNP Dual Trans Complimentary
1:¥3.3787
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89157
9,000:¥0.83733
参考库存:34562
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
2,000:¥5.5709
参考库存:23164
晶体管
MOSFET FET 40V 20.0 MOHM MLP
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:27016
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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