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晶体管
DMT3020LFDB-7参考图片

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DMT3020LFDB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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库存:62,143(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
3,000
¥1.5368
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.7 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms, 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC, 7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.4 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.9 ns, 1.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns, 7.5 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns, 1.8 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
优势价格,DMT3020LFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥21.0519
10:¥17.515
100:¥13.5261
500:¥11.9102
1,000:¥11.30
3,000:¥11.30
参考库存:20384
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:9901
晶体管
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:108548
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IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
参考库存:12355
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.379
10:¥7.6049
100:¥5.8986
500:¥5.0624
1,000:¥4.0002
3,000:¥4.0002
参考库存:43277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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