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晶体管
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QS6J1TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8533
38.533
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8193
1819.3
3,000
¥1.5481
4644.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6J1
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
QS6J1
商品其它信息
优势价格，QS6J1TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSV60600MZ4T3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP LOW VCE(SAT)
1:¥4.9155
10:¥4.0341
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:18155
APT50GT120B2RDQ2G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥135.7808
10:¥123.4073
25:¥114.1074
50:¥107.9602
参考库存:2297
2N5308
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darl Amp
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥3.8081
1,000:¥2.825
参考库存:6494
2SC4135T-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:8151
MCH6445-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 4A 60V 4V DRIVE MCPH6
1:¥3.5369
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:5283

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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