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晶体管
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IRG4BC30UPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
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库存：7,624(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
23 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535872
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRG4BC30UPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS200R06KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 ECONO PACK 3 200A, 600V
1:¥1,215.767
5:¥1,186.5678
10:¥1,157.0522
25:¥1,140.848
参考库存:3678
DMTH4005SPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:16130
SIHP21N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 850V Vds; 30V Vgs TO-220AB
1:¥33.5836
10:¥27.8206
100:¥22.8938
250:¥22.2045
参考库存:8657
BUK9M52-40EX
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK9M52-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
1,500:¥1.11418
参考库存:18634
PDTD113ZT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:163826

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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