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晶体管
STGWT80H65DFB参考图片

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STGWT80H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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数量单价合计
1
¥54.7824
54.7824
10
¥49.5618
495.618
25
¥47.2566
1181.415
100
¥41.0303
4103.03
250
¥39.1884
9797.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT80H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
3,000:¥0.69947
9,000:¥0.63732
24,000:¥0.59212
参考库存:37138
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO
1:¥14.1363
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
5,000:¥6.2828
10,000:查看
参考库存:31693
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:37145
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.1419
10:¥11.6051
25:¥10.4525
100:¥9.1417
参考库存:37150
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥18.7467
10:¥15.5262
100:¥13.0628
500:¥12.0684
1,000:¥11.4469
3,000:¥10.8367
参考库存:21705
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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