| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
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250:¥811.9728
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参考库存:45651
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:45636
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
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500:¥682.1132
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参考库存:45564
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥2,614.7861
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参考库存:45377
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1318N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥610.9571
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参考库存:45330
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,475.6331
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参考库存:45195
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W
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250:¥774.6263
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参考库存:45042
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:45027
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S165-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥637.772
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参考库存:44917
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,170.0472
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参考库存:44498
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
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1:¥1,028.4243
5:¥1,008.4459
10:¥975.1787
25:¥933.9111
50:¥921.0856
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参考库存:57643
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,118.4853
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参考库存:57371
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,132.5425
5:¥1,107.2644
10:¥1,084.6757
25:¥1,068.6184
150:¥1,006.6831
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参考库存:57266
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射频放大器 HV8IC 960MHZ TO270WB14
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1:¥381.1264
5:¥360.5378
10:¥355.385
25:¥329.6436
500:¥260.9509
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参考库存:57241
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V
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250:¥1,181.7992
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参考库存:57194
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
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1:¥952.9742
5:¥934.4535
10:¥903.6384
25:¥865.3766
250:¥775.9258
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参考库存:57189
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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500:¥487.3238
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参考库存:57169
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射频放大器 1805-2170 MHz 2.4W Avg. 28 V
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1,000:¥227.1413
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参考库存:57134
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RF片上系统 - SoC MKW31Z512VHT4/HVQFN48R///REEL 13 Q1 DP
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1:¥46.104
10:¥41.6518
25:¥37.4256
100:¥34.4989
2,000:¥25.199
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参考库存:57129
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥855.1501
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参考库存:57114
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