| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
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1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
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参考库存:7595
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
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1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
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参考库存:7626
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:40325
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
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1:¥81.9928
10:¥74.0715
25:¥64.6247
100:¥61.3929
1,000:¥45.1774
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参考库存:11345
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
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50:¥2,218.8341
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参考库存:40280
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
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1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
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参考库存:7662
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD300N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥764.0156
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参考库存:40256
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
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250:¥747.495
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参考库存:40246
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
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1:¥1,350.0788
5:¥1,319.953
10:¥1,292.9121
25:¥1,273.849
50:¥1,227.5981
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参考库存:6958
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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250:¥908.1697
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参考库存:40186
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
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150:¥879.818
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参考库存:40130
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H300-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥718.9173
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参考库存:40114
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ NI780-2L2L
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250:¥1,072.3022
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参考库存:40065
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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150:¥892.8808
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参考库存:40048
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 50 W Avg. 28 V
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250:¥995.5413
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参考库存:40036
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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150:¥882.5865
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参考库存:40014
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
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150:¥732.127
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参考库存:40009
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G
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1:¥191.4898
5:¥183.0374
10:¥176.6529
25:¥154.1433
500:¥132.9332
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参考库存:39998
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
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1:¥513.7545
5:¥498.7707
10:¥488.0922
25:¥467.5714
500:¥402.0992
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参考库存:39983
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥700.0124
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参考库存:39906
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