| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H
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150:¥1,073.6808
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参考库存:44172
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V
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250:¥1,475.6331
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参考库存:42783
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥719.5275
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参考库存:42508
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
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250:¥892.8808
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参考库存:42428
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,466.2654
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参考库存:41783
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥1,301.6696
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参考库存:34394
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
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50:¥733.9802 100:¥682.6443
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参考库存:31420
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC10275N/FM14F///REEL 13
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1:¥1,780.3828 5:¥1,737.5784 10:¥1,694.4011 25:¥1,670.6598
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参考库存:30317
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T14H450-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥1,010.672 5:¥991.0778 10:¥958.353 25:¥917.7747
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参考库存:29725
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
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1:¥599.7362 5:¥582.289 10:¥569.7686 25:¥545.8691
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参考库存:27880
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13
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50:¥1,067.4658
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参考库存:27590
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFG24S100H/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
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50:¥2,575.1344
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参考库存:26600
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2
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250:¥723.7537
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参考库存:33286
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S261W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325 5:¥612.1888 10:¥591.9731 25:¥566.921
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参考库存:45693
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
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250:¥774.6263
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参考库存:43269
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V
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250:¥636.1561
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参考库存:42639
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:40062
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,475.6331
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参考库存:38828
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥773.6206
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参考库存:49906
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325 5:¥612.1888 10:¥591.9731 25:¥566.921
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参考库存:49876
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