| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
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250:¥774.6263
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参考库存:36286
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:36274
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
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500:¥156.0643
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参考库存:36250
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W
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1:¥191.4898
5:¥183.0374
10:¥176.6529
25:¥154.1433
500:¥132.9332
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参考库存:36243
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
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150:¥1,030.3453
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参考库存:36228
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
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150:¥2,665.8847
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参考库存:36223
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,073.6726
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参考库存:36182
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥841.7822
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参考库存:36177
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
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1:¥952.9742
5:¥934.4535
10:¥903.6384
25:¥865.3766
250:¥775.9258
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参考库存:36159
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V
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1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
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参考库存:36119
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S
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150:¥2,672.5743
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参考库存:36114
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
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1:¥150.3013
10:¥138.1538
25:¥132.0857
50:¥124.4017
500:¥100.8186
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参考库存:4304
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
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1:¥643.3768
5:¥630.9355
10:¥610.1096
25:¥584.2891
250:¥523.8906
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参考库存:36086
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD020N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
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1,000:¥185.7946
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参考库存:36077
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
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250:¥714.838
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参考库存:36060
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
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250:¥892.8808
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参考库存:36046
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
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参考库存:5143
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4
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1:¥599.7362
5:¥582.289
10:¥569.7686
25:¥545.8691
250:¥484.0129
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参考库存:36003
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
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1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
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参考库存:35979
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,057.0924
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参考库存:35949
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