| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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500:¥364.0634
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参考库存:32264
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
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150:¥1,030.3453
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参考库存:32184
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:32164
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,128.2372
5:¥1,103.0382
10:¥1,080.5286
25:¥1,064.5391
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参考库存:32104
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:32072
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
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500:¥682.1132
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参考库存:32057
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W
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250:¥774.6263
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参考库存:32012
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
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250:¥1,072.3022
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参考库存:31971
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,282.0754
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参考库存:31941
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
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500:¥312.8179
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参考库存:31896
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
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1:¥513.7545
5:¥498.7707
10:¥488.0922
25:¥467.5714
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参考库存:31826
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:31816
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,019.9719
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参考库存:31762
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥1,983.0144
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参考库存:31727
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥2,614.7861
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参考库存:31605
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011HS/CFM2F///REEL 13
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50:¥3,427.4482
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参考库存:31579
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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150:¥1,073.6808
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参考库存:31517
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325
5:¥612.1888
10:¥591.9731
25:¥566.921
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参考库存:31507
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,925.8364
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参考库存:31492
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
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500:¥382.1999
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参考库存:31485
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