| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,160.3631
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参考库存:44371
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥654.5186
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参考库存:44264
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:44069
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,369.2097
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参考库存:43993
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,057.0924
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参考库存:43968
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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250:¥830.3353
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参考库存:43901
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KGS/CFM4///REEL 13
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50:¥3,879.5725
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参考库存:43755
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
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250:¥650.2924
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参考库存:43750
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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150:¥1,073.6808
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参考库存:43708
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD300N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥764.0156
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参考库存:43688
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
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50:¥786.2992 100:¥731.2908
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参考库存:43594
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,358.9154 5:¥1,328.5636 10:¥1,301.4436 25:¥1,282.1545
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参考库存:43579
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312GS/CFM4///REEL 13
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50:¥4,089.0406
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参考库存:43534
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:43529
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,497.0014
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参考库存:43452
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥2,614.7861
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参考库存:43417
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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250:¥864.9133
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参考库存:43377
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥1,100.959 5:¥1,079.602 10:¥1,043.9505 25:¥999.7675
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参考库存:43316
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
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150:¥1,033.5771
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参考库存:43281
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
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250:¥700.0124
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参考库存:43266
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