| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥768.7842
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参考库存:35601
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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500:¥487.3238
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参考库存:35467
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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150:¥851.6923
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参考库存:35455
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4
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500:¥451.2768
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参考库存:35359
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13
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50:¥3,427.4482
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参考库存:35329
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 50 W Avg. 28 V
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250:¥995.5413
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参考库存:35304
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS
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50:¥4,410.9211
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参考库存:35244
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V
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250:¥759.2583
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参考库存:35239
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥642.3033
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参考库存:35222
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:35165
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS
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150:¥1,610.4873
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参考库存:34986
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥687.944
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参考库存:34897
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
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150:¥1,030.3453
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参考库存:34872
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:34699
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,369.2097
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参考库存:34637
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,543.3314
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参考库存:34632
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S165-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥637.772
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参考库存:34627
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥295.2238
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参考库存:34456
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
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250:¥775.9258
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参考库存:34399
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500:¥1,609.9562
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参考库存:34334
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