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光学探测器和传感器

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Osram Opto Semiconductor
产品种类	光电晶体管
RoHS	是
产品	Phototransistors
封装 / 箱体	T-1
安装风格	Through Hole
峰值波长	900 nm
工作电源电压	-
开启状态集电极最大电流	15 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO	35 V
集电极—射极击穿电压	35 V
集电极—射极饱和电压	200 mV
暗电流	15 mA
上升时间	7 us
下降时间	7 us
Pd-功率耗散	165 mW
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 100 C
高度	5.2 mm
长度	4 mm
透镜颜色/类型	Black
输出电流	-
类型	Silicon NPN Phototransistor
波长	900 nm
宽度	4 mm
商标	OSRAM Opto Semiconductors
传播延迟—最大值	-
半强度角度	12 deg
弱电流	2 mA
产品类型	Phototransistors
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	2000
子类别	Optical Detectors and Sensors
零件号别名	Q62702P3590
单位重量	200 mg

商品其它信息

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