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集成电路 - IC
TH58NYG3S0HBAI4参考图片

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TH58NYG3S0HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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库存:5,647(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥66.0824
66.0824
10
¥60.8618
608.618
25
¥59.551
1488.775
50
¥59.325
2966.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格,TH58NYG3S0HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥6.1472
10:¥6.0794
25:¥5.1415
100:¥4.6669
3,300:¥4.6669
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1:¥20.5208
25:¥13.6052
100:¥11.2209
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25:¥31.8095
100:¥26.2838
250:¥24.973
参考库存:9259
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    50万现货SKU

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