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无线和射频半导体
CGHV60075D5参考图片

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CGHV60075D5

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
75 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
41.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
-
高度
100 um
长度
3000 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 10 V, + 2 V
零件号别名
CGHV60075D5-GP4
商品其它信息
优势价格,CGHV60075D5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 sub-GHz 20 dB proprietary 1024 kB 128 kB (RAM) 31GPIO SoC
1:¥73.5404
10:¥69.4611
25:¥67.461
50:¥65.314
100:¥61.246
参考库存:4141
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.1527
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:17603
无线和射频半导体
衰减器 Attn 5dB RL 25dB Flatness .8dB
100:¥34.352
300:¥31.4253
500:¥28.589
1,000:¥25.7414
参考库存:4345
无线和射频半导体
射频放大器 A3I35D012WN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
1:¥277.1664
5:¥274.3188
10:¥255.6512
25:¥244.193
500:¥198.2472
参考库存:5347
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
参考库存:4849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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