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无线和射频半导体
CGH35240F参考图片

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CGH35240F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.6 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
240 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440201
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.76 mm
长度
24.33 mm
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
23.62 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH35240F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH35240F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF5014H-200MHZ
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-200MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:52720
STA8088EXGATR
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频接收器 High Flexible GPS/Galileo/Glonass/QZSS Receiver with powerful processing (ARM9)
1:¥90.8972
10:¥83.5974
25:¥80.1396
100:¥70.6137
参考库存:52725
BA479G-TAP
Vishay Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 30 Volt 4kohm
1:¥3.2318
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
10,000:¥1.00683
参考库存:52730
ATN3580-08
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
衰减器 Attn=8db -55C +150C RL=15dB @ 40GHz
100:¥34.352
300:¥31.4253
500:¥28.589
1,000:¥25.7414
参考库存:52735
HMC-VVD104
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 MMIC PIN Diode Variable atten 70-86 GHz
25:¥659.6714
100:¥622.178
参考库存:52740

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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