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无线和射频半导体
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CGHV50200F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
17 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
4402015
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV50200F-AMP
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
40
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.4 V
商品其它信息
优势价格，CGHV50200F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX2871ETJ+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 23.5-6000MHz Fractional/IntegerN
1:¥90.287
10:¥79.3712
25:¥72.0714
50:¥67.5401
参考库存:11923
SI4123-D-GM
Silicon Labs
无线和射频半导体
锁相环 - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
1:¥54.3304
10:¥51.3246
25:¥49.7878
50:¥48.251
参考库存:7530
2SC5086-Y,LF
Toshiba
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:33517
SI4702-C19-GM
Silicon Labs
无线和射频半导体
调谐器 FM receiver
1:¥103.1238
10:¥101.2028
25:¥99.3496
50:¥97.4286
参考库存:10489
ATMEGA1284PR212-AU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1284P-AU AT86RF212-ZU
1:¥78.1508
10:¥70.3086
25:¥64.0032
50:¥61.246
参考库存:5641

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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