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无线和射频半导体

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CG2H80030D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
410 mOhms
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CG2H80030D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC460-SX
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 amp, lo Noise, DC-20 GHz
2:¥1,710.4584
6:¥1,686.2538
10:¥1,638.0706
26:¥1,553.7839
参考库存:2059
BFR740L3RHE6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
参考库存:13131
ADF7242BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
射频收发器 Lo Pwr IEEE Zero-IF 2.4 GHz
1:¥38.5782
10:¥34.4198
25:¥30.962
50:¥29.5834
参考库存:4353
BAP70Q,125
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 QUAD PIN DIODE ATTENUATOR
1:¥5.9212
10:¥4.9268
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
3,000:¥2.147
参考库存:25450
MAX2015EUA+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频检测器 0.1-3GHz 75dB Log Detector/Controller
1:¥101.9712
10:¥93.7448
25:¥75.7665
250:¥70.4668
参考库存:2337

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