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无线和射频半导体
HMC1131LC4参考图片

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HMC1131LC4

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频放大器 27-34GHz 24dBm ampliRier
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-24
类型
Medium Power Amplifier
技术
GaAs
工作频率
24 GHz to 35 GHz
P1dB - 压缩点
24 dBm
增益
20 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
-
测试频率
27 GHz to 35 GHz
OIP3 - 三阶截点
35 dBm
工作电源电流
225 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC1131
封装
Cut Tape
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
开发套件
EV1HMC1131LC4
输入返回损失
8 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
1.97 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,HMC1131LC4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
1:¥82.4448
10:¥74.5348
50:¥71.077
100:¥61.698
参考库存:2506
无线和射频半导体
射频混合器 IC IF Receive Path
1:¥62.0822
10:¥55.8672
25:¥52.5563
50:¥49.4036
1,500:¥33.8096
参考库存:3718
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.9GHz Gain 16dB 802.11a/n/ac NF1.5dB
1:¥9.0626
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
3,000:¥3.4691
参考库存:22605
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:1537
无线和射频半导体
衰减器 DC-2GHz IL .3dB Atten. Range 15dB
1:¥6.6105
10:¥5.1528
100:¥3.8985
500:¥3.3222
3,000:¥2.1809
参考库存:23684
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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