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无线和射频半导体
CG2H30070F参考图片

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CG2H30070F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
70 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440224
封装
Tray
工作频率
0.5 GHz to 3 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CG2H30070F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CG2H30070F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
1:¥6,627.45
参考库存:1919
无线和射频半导体
衰减器 50MHz to 4000MHz Dual Analog Voltage Variable Attenuator with On-Chip 10-Bit SPI-Controlled DAC
1:¥185.3426
10:¥174.9692
25:¥139.8488
参考库存:2051
无线和射频半导体
PIN 二极管 IL .1dB @-10dBm Max CW Pwr 3W
100:¥18.0574
300:¥16.2155
500:¥15.368
1,000:¥12.9046
2,500:¥12.1362
参考库存:3418
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz NF 5.5dB, Gain 26dB
1:¥247.7299
25:¥233.2885
参考库存:2170
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF Pin Diode
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
参考库存:43057
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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