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无线和射频半导体
TGF2979-SM参考图片

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TGF2979-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
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数量单价合计
1
¥476.408
476.408
25
¥412.0206
10300.515
100
¥356.3794
35637.94
250
¥331.4064
82851.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
输出功率
22 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
49 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
产品
RF JFET Transistor
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2979-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1127378
单位重量
123 mg
商品其它信息
优势价格，TGF2979-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RA69
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-1000MHz NF 4.5dB Gain 24dB GaAs
1:¥2,114.6368
10:¥2,036.3391
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EZR32LG230F256R63G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 256 kB M3, +20 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
1:¥48.7934
10:¥46.104
25:¥44.7254
50:¥43.3355
参考库存:5296
TGA2624-CP
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 9-10GHz 16W GaN Power Amplifier
1:¥3,012.128
25:¥2,443.512
参考库存:4368
HMC504LC4B
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 14 - 27 GHz
1:¥526.58
5:¥509.6074
10:¥499.3809
25:¥464.4187
参考库存:4495
MRFE6VP5600HR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,431.5292
5:¥1,399.6406
10:¥1,370.9838
25:¥1,350.7681
50:¥1,301.6696
参考库存:4547

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