A2I20H060GNR1详细信息_A2I20H060GNR1相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频放大器
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-270WBG-15
类型	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
工作频率	1.8 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	48 dBm
增益	28.9 dB
工作电源电压	28 V
测试频率	1.8425 GHz
工作电源电流	145 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Reel
商标	NXP / Freescale
通道数量	2 Channel
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	935316306528
单位重量	1.598 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RFFM4501ESR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 4.9-5.85GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac	100:¥19.3682 200:¥17.7523 500:¥15.5262 1,000:¥12.9046	参考库存:48235
PTAC240502FC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥512.6019	参考库存:48240
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