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无线和射频半导体
QPD2796参考图片

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QPD2796

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
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库存:48,836(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥648.6878
162171.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
-
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
-
输出功率
200 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Tray
应用
Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置
Single
工作频率
2.5 GHz to 2.7 GHz
系列
QPD
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
零件号别名
1130963
商品其它信息
优势价格,QPD2796的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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