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无线和射频半导体
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PTVA030121EA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥468.0347
23401.735
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
增益
25 dB
输出功率
12 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
390 MHz to 450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA030121EA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MFRC53001T/0FE,112
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 MIFARE HS READER
1:¥105.9601
10:¥97.4286
25:¥93.4397
100:¥82.2979
参考库存:9542
EM3581-RT
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC ZigBee/802.15.4--256 kB flash+32 kB RAM
1:¥57.856
10:¥54.6355
25:¥53.0196
50:¥51.4037
参考库存:4554
EFR32MG1B132F256GM48-C0
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, 16.5 dBm, QFN-48, mesh
1:¥36.1939
10:¥35.5046
25:¥34.804
50:¥34.1147
参考库存:10696
BGA6130,118
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 Hi EFF Amp 2700MHz
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
6,000:¥12.9046
参考库存:28348
MAX3521ETP+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 DOCSIS 3.0 Upstream Amplifier
1:¥20.4417
25:¥14.5996
250:¥13.6052
1,000:¥12.2944
参考库存:16255

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    50万现货SKU

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