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无线和射频半导体
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MRF8VP13350GNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250
¥1,033.1929
258298.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
19.2 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780G-4
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF8VP13350
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935320727528
单位重量
3.065 g
商品其它信息
优势价格，MRF8VP13350GNR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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2,000:¥78.4559
参考库存:56732

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