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无线和射频半导体
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HMC369LP3E

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 X2 Active mult, 9.9 - 12.7 GHz Fout
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库存:56,520(价格仅供参考)
数量单价合计
46
¥131.4755
6047.873
100
¥124.865
12486.5
250
¥119.102
29775.5
500
¥113.4181
56709.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
Multiplier
技术
GaAs
工作频率
12.7 GHz
P1dB - 压缩点
-
增益
-
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
-
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
-
工作电源电流
46 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC369
封装
Cut Tape
频率范围
9.9 GHz to 12.7 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
2 Channel
输入返回损失
17 dB
Pd-功率耗散
440 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
4.5 V
单位重量
237 mg
商品其它信息
优势价格,HMC369LP3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 High-performance FM RDS/RBDS data receiver, automotive qualified AEC-Q100
2,500:¥48.4883
参考库存:51389
无线和射频半导体
射频前端 868/915MHz Tx/Rx
100:¥33.3463
参考库存:51394
无线和射频半导体
衰减器 800-1000MHz IL:4.2 VSWR: 2.0 max
50:¥243.1986
参考库存:51399
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥853.15
参考库存:51404
无线和射频半导体
射频放大器 0.01-30GHz 0.5W DISTRIBUTD AMPLIFIER
500:¥1,307.975
参考库存:51409
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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