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无线和射频半导体
A2T18S262W12NR3参考图片

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A2T18S262W12NR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存：55,167(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥625.6358
625.6358
5
¥614.1098
3070.549
10
¥586.5152
5865.152
25
¥566.921
14173.025
100
¥527.8908
52789.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.3 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935346497528
单位重量
3.790 g
商品其它信息
优势价格，A2T18S262W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC788ACPSZ-EP-PT
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 10 GHz gain block LinrDrive/GainBlock
1:¥284.4662
5:¥268.8609
10:¥262.4086
25:¥235.8197
50:¥235.8197
参考库存:3256
EFR32MG21A020F1024IM32-B
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko, QFN32, 2.4G, 20dB, mesh multiprotocol, 1024kB, 96kB(RAM), 20 GPIO
1:¥40.8834
10:¥40.1828
25:¥39.4144
50:¥38.646
参考库存:3508
LX5530LQ
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 LX5530LQ
1:¥21.8203
10:¥19.5151
25:¥17.515
100:¥15.594
参考库存:3520
CY7B991V-5JXIT
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 80MHz 8 TTL IND Programable
1:¥238.9724
5:¥227.6724
10:¥221.0732
25:¥203.1627
750:¥164.9009
参考库存:6397
CA3010
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-2500MHz NF 4.5dB Pout 19dBm SMA Conn.
1:¥4,330.7024
10:¥4,176.028
参考库存:3179

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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