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无线和射频半导体
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UF28100V

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
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数量单价合计
1
¥1,137.9213
1137.9213
2
¥1,118.9486
2237.8972
5
¥1,100.5748
5502.874
10
¥1,082.8338
10828.338
25
¥1,043.7923
26094.8075
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
744A-01
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
1.5 S
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
优势价格，UF28100V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CRBAMP-100-6000
Crystek Corporation
无线和射频半导体
射频放大器 100MHz to 6GHz Amplifier
1:¥558.6268
2:¥548.0952
5:¥537.9591
10:¥517.2123
参考库存:5264
TLC2934IPWR
Texas Instruments
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 Hi Perf Sngl Phase Locked Loop
1:¥29.9676
10:¥26.9731
100:¥22.0576
250:¥20.6677
2,000:¥15.0629
参考库存:14326
HMC415LP3ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT pow amp SMT, 4.9 - 5.9 GHz
1:¥121.023
10:¥111.2598
25:¥106.6494
100:¥93.9708
500:¥87.5185
参考库存:7433
HMC8192-SX
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 20 to 42GHz I/Q Mixer
2:¥1,311.4328
6:¥1,292.9121
10:¥1,255.9498
26:¥1,191.3251
参考库存:5445
BFP 740FESD H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:25977

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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